3D CTD NAND의 개념1. 3D CTD NAND Flash 개념3D NAND는 기존 2D Floating Gate(FG) NAND의 구조적 한계를 극복하기 위해 등장한 기술로,전하 저장 구조가 FG → CTD(Charge Trap Device)로 바뀌고, 셀을 수직으로 적층하여 집적도를 높인studentstory.tistory.com 1. CTD NAND Cell 구조 및 요구 특성CTD(Cell Trap Device) 구조는 Charge Trap Nitride(CTN)에 전자를 가두어 데이터 저장을 수행하는 구조이다. 각 구성 요소는 저장된 전하를 오래 보유하고(P/E 반복에도 견디고), 필요한 순간에만 터널링이 일어나도록 설계돼야 한다.1-1. CTD Cell 구성 요소Block Oxide: W..
1. 3D CTD NAND Flash 개념3D NAND는 기존 2D Floating Gate(FG) NAND의 구조적 한계를 극복하기 위해 등장한 기술로,전하 저장 구조가 FG → CTD(Charge Trap Device)로 바뀌고, 셀을 수직으로 적층하여 집적도를 높인 구조이다.1-1. 2D Floating Gate의 한계 (왜 3D가 필요한가?)2D FG 구조는 평면에서 cell을 줄이는 방식으로 scaling 해왔지만, 20nm 이하에서 심각한 물리적 한계가 나타났다.WL width 감소 → WL 기울어짐(비등각성 문제)→ Gate의 물리적 품질이 떨어지고, word-line 간 제어 간섭 증가Cell 간 간격 축소 → 산화막 박막화 → Breakdown Voltage 저하→ Program/Eras..
Read OperationCell에 저장된 Data를 읽는 동작Page 단위로 진행Byte 단위로 출력 Vread bias에 의해 On Off 구분타이밍도신호 흐름을 보면 크게 3개 구간으로 볼 수 있다.첫 번째 구간에서는 양 끝의 Command와 사이 5개의 Address 를 인가한다. 두 번째 구간에서는 Ready Busy 가 Low로 떨어지며 tR 시간만큼 Read를 한다. Row Address에 대응되는 Page Cell Array를 Sensing하고 Page buffer로 데이터가 전달된다.Read가 끝나고 Ready Busy 가 high로 올라가며 3구간에서는 Data를 보낸다.주소에 대응하는 Page Buffer에서 Read Enable이 토글되어 데이터가 DQ Pad로 출력된다. Read ..
📌데이터시트에서 NAND 구조 이해하기🔷NAND 구조가 헷갈리는 이유데이터시트에서 본 NAND는 top view이기에 Block이 쌓인듯이 보인다. 하지만 실제 구조는앞에서 바라보면 하나의 Plane에 여러 Block들이 BL방향으로 줄지어있다.BL아래로는 여러 String이 수직으로 stack되어 있다.즉 적층된 구조이다.[Plane] └── Block ── Block ── Block ... │ └─ 여러 String이 아래 방향으로 수직 적층 🔷Block 수가 중요한 이유block size = cell당 bit수 x main page size x string수 x WL(stack)수 개발을 하면서 stack을 늘리면 block 크기가 ..
NAND 기본 동작NAND의 동작은 Program, Erase, Read 가 있다.Program State: 터널링을 이용해 전자를 Floating gate 에 주입한다. 이로 인해 셀의 Vt 가 상승하여 0이 저장된다.Erase: Floating gate 에서 전자를 제거하고 Vt를 낮춰 데이터 1을 저장한다. Read: 셀의 Vt 를 비교해 0/1을 판별한다.메커니즘Floating Gate Cell 전자가 Poly Si Floating gate에 저장된다. 전통적인 NAND NOR CTD(Charge Trap Device) Cell전자가 절연층에 저장된다. 3D NAND에는 Charge Trap 구조를 사용하고 공정이 단순화되고 미세화에 유리하다. NAND의 계층 구조Package 형태 Chip - ..
반도체 공정에서 Defect를 분석하고 Inspection과 Metrology을 관리해야 하는데 Inspection과 Metrology가 무엇일까.Inspection뜻 그대로 "검사"이다. 과거 반도체 팹은 수율이 매우 낮았는데, 1960년대에 웨이퍼 검사는 사람이 직접 현미경으로 defect를 찾는 방식이었다. 때문에 human error와 효율 등의 문제가 있었다. 1970년대에는 최초의 자동 검사 시스템이 등장했는데 마스크 검사에 초점을 둔 AMIS였다.1975년에 설립된 KLA에서는 레이저로 포토마스크를 검사하는 자동 시스템 KLA100을 출시했다.후속 모델인 KLA200은 이미지를 비교하는 기능을 추가했다.1984년에는 KLA2020을 출시했는데 웨이퍼 생산 라인에서 직접 작동하는 자동 패턴 웨..
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