흔한학생

Bulk Potential$E_{i}$ 와 $E_{F}$의 차이에서 Bulk Potential을 사용할 수 있습니다.두 에너지 차이를 $q\phi _{B}$라고 합니다.p 타입에서 $E_{F}$가 더 아래에 있으므로 양수가 나오며 n 타입에선 음수가 나올 것입니다. Surface PotentialOxide와 반도체의 계면 퍼텐셜(surface potential)을 $\phi _{s}$ 라고 합니다.이는 직관적으로 에너지 밴드가 얼마나 굽었는지를 나타낸다고 생각하면 될 것 같습니다.Si에서 절연체 표면까지 에너지 밴드가 휘어질 때가 있는데 그 차이를 말합니다.다음 그림에서 $q\phi_{s}$ 를 보면 이해할 수 있습니다. (아래 그림에서 $\phi때문에 기울어진 에너지 밴드일 때 $\phi$는 0이 아닙..

소스파일 빌드 과정 (.exe 파일 생성 과정) ---.c 소스파일 ↓컴파일러↓ assemble ↓어셈블러↓ 기계어 ---.obj ↓Linker↓ .exe ↓loader↓ 메모리 내부 실행과정 ~~~.exe 프로그램을 loader 가 메모리에 탑재한다. 8비트 레지스터 8개와 16비트 레지스터 2개로 구성된다. 1-1. 메모리에 실린 프로그램의 주소 번지를 PC(program counter)에 싣습니다. 1-2. 주소가 address bus에 실려서 enable? 마이크로프로세서 MEMR 1-3. PC가 1증가하고 data bus 에 op code(operation code)가 실려서 마이크로프로세스 내부로 간다. 1-4. Instruction Decoder (I.D.)가 해석하고 실행한다. 2-1. 다..

CISC & RISC RISC (Reduced Instruction Set Computer) 에 대해 배우기 전 CISC(Complex Instruction Set Computer) 에 대해 알아보겠습니다. Reduced Instruction Set Computer: RISC에서 reduced가 의미하는 바가 무엇일까요? 명령어의 개수가 줄었다고 생각하기 쉽지만 아닙니다. 감소한 것은 바로 명령어의 복잡도입니다. 오히려 명령어 개수와 길이는 더 커졌습니다. CISC는 복잡한 명령어를 가지고 있으며 CISC의 대표적인 예로 8085 프로세서가 있습니다. RISC의 예시로는 MIPS, ARM이 있습니다. CISC와 RISC의 하드웨어 또한 다릅니다. 앞으로 배울 CISC는 8085 프로세서를 기준으로 배우겠..

MOS Capacitor 소개  MOSFET를 배우기 앞서 MOSFET의 일부라고도 할 수 있는 MOS Capacitor 에 대해 다뤄보겠습니다.MOS(metal oxide semiconductor) 에서 Metal 즉 Gate 부분은 주로 degenerately doped poly-Si를 사용합니다.이전에는 non-degenerated 경우를 많이 가정을 해왔는데요.MOS 커패시터에서 Metal 에 해당하는 poly-Si 는 고농도의 도핑을 한 물질이라고 생각하시면 됩니다.NMOS에서는 $n^{+}$ 타입, PMOS에서는 $p^{+}$ 타입이 사용됩니다. 절연체에 해당하는 물질은 주로 SiO2가 사용되고 밴드갭은 $9eV$ 입니다. 반도체 물질에 해당하는 Si body는 NMOS에서 p-type, PM..

미루고 미루다 이제야 쓰는 전과 3편이다. 사실 쓸 생각은 없었는데 전과 시즌이 와서 그런가 조회수가 급등하고 ㅋㅋ궁금해하시는 분들도 많길래...사실 나는 전과에 두 번 지원했는데 첫번째는 떨어지고 두번째에 합격했다. 때문에 전과정보도 더 많아서 도움이 되지 않을까?! 싶다.첫 번째 전입 면접이때는 6~70명 정도 지원해서 11명이 선발됐다. 더보기이때 나는 1학년 때 전과할 과의 전공과목을 두 개만 들은 상태였고(그 중 하나는 교양수준..)군대에서 조금 준비한 정도였다. 면접관으로 오신 교수님은 두 분이었고 수학계획서(자기소개서)에 나온 세가지 질문 항목이었는데 이걸 그대로 물어볼줄은 몰랐다. 💡지원동기와 준비한 내용질문을 받았을 때 좀 당황했는데 수학계획서에 있는 내용이기에 당연히 물어보지 않을줄 ..

계절학기로 신호및시스템을 들으니 이게 배운 게 배운 것 같지가 않아서 간단하게만 정리하려고 한다. 혹시 또 볼 일이 있을지도? CTFS 연속적 주기 신호를 CTFS 변환하게 되면 비연속적 비주기 신호가 된다. continuous periodic -> discrete aperiodic $ x(t)= \sum_{k=-\infty }^{\infty}C_{x}[k]e^{j2\pi kt/T} $ $C_{x}[k]=\frac{1}{T} \int_{T} x(t) e^{-j2\pi kt/T}dt$ CTFT 연속적 비주기 신호를 CTFT 변환하게 되면 연속적 비주기 신호가 된다. continuous aperiodic -> continuous aperiodic 비주기 신호를 변환하는 방법은 CTFS에서 출발한다. CTFS..

신호 $x(t)$를 표현하기 위한 방법..? basis $\begin{bmatrix} 1\\0 \end{bmatrix}$ 와 $\begin{bmatrix} 0\\1 \end{bmatrix}$ 로 (3, 2) 를 표현할 수 있듯이 $e^{jk\omega_{0} t}$ 를 basis 로 보는 linear combination $ \sum_{k=-\infty }^{\infty}a_{k}e^{jk\omega_{0} t} $ 이것을 Signal $x(t)$라 한다. 이게 가능하려면 inner product space 이면,, $e^{jk\omega_{0} t}$ 를 basis 로 보는 linear combination inner product 해서 0이면 수직이고 그렇다면 독립이므로 basis로 사용할 수 있다?..

전 글에서 Excess (minority) carrier 에 대한 식을 도출해냈습니다. 이전글 [물리전자] Forward Bias에서 캐리어 농도, Continuity Equation, Diffusion Equation, Excess carrier 이번 장에서는 Forward Bias에서 Carrier injection Continuity Equation Depletion edge의 소수캐리어 농도 Excess carrier 농도 에 대해 알아보겠습니다. Forward Bias에서 Carrier Injection 우선 가정을 합니다. 때문에 $np$는 studentstory.tistory.com 소수캐리어에 의한 전류를 알아봅시다. N side에서 소수캐리어인 hole에 의한 전류밀도 Diffusion에..