전체238 [물리전자] PN Junction depletion 영역 (Width, Capacitance) 이전글 [물리전자] PN Junction Built-in Potential N과 P의 접합을 만들어봅시다. 접합을 만드는 방법에는 두 가지 방법이 있습니다? 첫 번째로는 확산을 이용하는 방법이 있고 두 번째로는 implantation 방법이 있습니다.? (implantiation은 ) 이때 기존 P studentstory.tistory.com Depletion-Layer Model 공핍 영역의 크기는 어떻게 될까요? 우선 전기장은 모든 곳에서 연속적이어야 하며 공핍영역의 끝에서는 0일 것입니다. 이 경계조건을 이용해 알아보겠습니다. P영역 경계에서 $\frac{dE}{dx}=-\frac{qN_{a}}{\varepsilon_{s}}$ $E(x)= -\frac{qN_{a}}{\varepsilon_{s}}x+.. 2023. 12. 17. [전자장] 스미스 차트 보호되어 있는 글 입니다. 2023. 12. 14. [전자장] 전송선 envelope, Partial standing waves 부분 정상파 Standing Waves 두 진행파가 만나 Asin(x+t)와 Asin(x-t) 2Acos(t)sin(x)를 형성한다고 해봅시다. 이 결과물은 정상파입니다. https://ko.wikipedia.org/wiki/%EC%A0%95%EC%83%81%ED%8C%8C 정상파 - 위키백과, 우리 모두의 백과사전 위키백과, 우리 모두의 백과사전. 정지된 매질에서 정상파의 형태. 빨간 점이 마디에 해당한다. 정상파(定常波) 또는 멈춰있는 파(Standing Wave)는 물리학에서 진폭의 크기가 시간에 따라 변화하지 ko.wikipedia.org 이를 이해하기 위해 sin(x)를 기준으로 봅시다. sin(x) 인데 진폭이 2Acos(t)로 변화하는 파라고 생각하면 식을 머릿속으로 정상파로 생각할 수 있습니다. 이 파.. 2023. 12. 14. [전자장] 광도파로 (Waveguide) - Effective wavelength 파장 광도파로 파트 ------도파로를 통해 진행하는 파는 어떻게 될까? cos(kz-wt) 와 coskzcoswt 서로 상관관계에 있다. 진행파와 정상파, 두 진행파를 합하면 정상파가 나온다. 일반해는 e J(kr) = e -jkz 만약 파동이 z축으로 진행한다면 (x축으로 정상파, y축으로 정상파, z축으로 진행파) $$\widetilde{E}=\hat{x}\widetilde{E}_{x}+\hat{y}\widetilde{E}_{y}+\hat{z}\widetilde{E}_{z}$$ $$\widetilde{H}=\hat{x}\widetilde{H}_{x}+\hat{y}\widetilde{H}_{y}+\hat{z}\widetilde{H}_{z}$$ 에서 $\widetilde{E}_{x}$ 를 정상파 부분(x,y.. 2023. 12. 13. [물리전자] PN junction Forward Bias에서 캐리어 농도 (Excess Carrier Concentration) 이번 장에서는 Forward Bias에서 Carrier injection Continuity Equation과 Diffusion Equation으로 캐리어 농도의 일반해를 구하고 Depletion edge의 소수캐리어 농도를 구해 경계 조건을 구한 후 최종적으로 Excess carrier 농도 식을 구해보겠습니다. Forward Bias에서 Carrier Injection 우선 가정을 합니다. 1) Steady state 2) Nondegenerately uniformly doped 1-D step junction 3) Low level injection in the quasi-neutral region (minority carrier concentration 2023. 12. 4. [물리전자] 이상적인 다이오드 원리 설명 평형상태에서는 전류가 흐르지 않습니다. 전자의 diffusion과 drift가 서로 상쇄되고 hole도 마찬가지로 상쇄되기 때문입니다. forward bias PN다이오드의 장벽이 낮아지며 diffusion 할 수 있는 전자와 hole이 많아집니다. 하지만 drift의 양은 변하지 않으며 순방향 전류가 증가하게 됩니다. reverse bias PN다이오드의 장벽이 더욱 더 커지게 됩니다. diffusion으로 인한 전류는 무시할 수 있을 정도로 작아집니다. 역시 drift의 양은 변하지 않으며 미미한 역방향 전류가 흐릅니다. generation current depletion 영역에서 generation으로 캐리어가 생성됩니다. 그리고 junction의 edge 에서 공급되는 소수 캐리어는 drift 전.. 2023. 12. 4. 이전 1 2 3 4 5 6 7 ··· 40 다음 반응형
