흔한학생

평형상태에서는 전류가 흐르지 않습니다. 전자의 diffusion과 drift가 서로 상쇄되고 hole도 마찬가지로 상쇄되기 때문입니다. forward bias PN다이오드의 장벽이 낮아지며 diffusion 할 수 있는 전자와 hole이 많아집니다. 하지만 drift의 양은 변하지 않으며 순방향 전류가 증가하게 됩니다. reverse bias PN다이오드의 장벽이 더욱 더 커지게 됩니다. diffusion으로 인한 전류는 무시할 수 있을 정도로 작아집니다. 역시 drift의 양은 변하지 않으며 미미한 역방향 전류가 흐릅니다. generation current depletion 영역에서 generation으로 캐리어가 생성됩니다. 그리고 junction의 edge 에서 공급되는 소수 캐리어는 drift 전..

카이스트 전기및전자공학부 최신현 교수 연구팀에서 개발한 GIFET ( gate injection-based field-effect synapse transistor ) 에 대해 알아보겠습니다. KAIST 전기및전자공학부 서석호, 김범진, 김동훈, 박승우 석사과정이 공동 제1 저자로 참여한 이번 연구는 국제 학술지 `네이처 커뮤니케이션스(Nature Communications)’ 10월호에 출판됐습니다. (논문명 : The gate injection-based field-effect synapse transistor with linear conductance update for online training) 기존 사용하던 MOS 구조 소자는 FN 터널링을 사용합니다. FN Tunneling이란 MOS 구조..

이전 글에서는 Junction Breakdown 에 대해 간단히 알아보았습니다.그리고 breakdown이 발생하는 peak electric field 를 구해보며 breakdown 전압을 수식적으로 구해봤습니다.이번에는 Breakdown이 발생하는 두 가지 프로세스 : Tunneling (Zener Process),  Avalanche Breakdown에 대해 알아보겠습니다.이전글 [물리전자] PN JunctionN과 P의 접합을 만들어봅시다. 접합을 만드는 방법에는 두 가지 방법이 있습니다? 첫 번째로는 확산을 이용하는 방법이 있고 두 번째로는 implantation 방법이 있습니다.? (implantiation은 ) 이때 기존 Pstudentstory.tistory.com breakdown 메커니즘엔..

N과 P의 접합을 만들어봅시다.접합을 만드는 방법에는 두 가지 방법이 있습니다?첫 번째로는 확산을 이용하는 방법이 있고두 번째로는 implantation 방법이 있습니다.?(implantiation은 )이때 기존 P body에 N 영역을 만든다고 생각해보면$N_{d}$의 확산이 일어날 것이며 $N_{d}-N_{a}=0$이 되는 지점을 metallurgical junction이라 합니다.아시다시피 PN junction 다이오드의 전압 전류 관계는 다음 그래프와 같습니다.IV관계 그래프Forward bias의 경우 exponential하게 증가하며 Reverse bias의 경우 무시할만한 역방향 전류가 흐릅니다.이때 Forward bias일 때의 전류는 diffusion에 의한 전류이며Reverse bias..

저번 글에서 Drift와 Diffusion에 대해 간단히 알아보았는데요.오늘은 Einstein Relationship에 대해 알아보겠습니다. 전압, 전기장, $E_{c}$, $E_{v}$의 관계 그 전에 에너지밴드 다이어그램과 전기장, 전압의 관계를 알아보도록 하겠습니다.  에너지밴드 다이어그램(energy band diagram)에서 밴드에 경사가 있다는 것은해당 위치에 전기장이 존재한다는 것과 전압의 분포 또한 알 수 있습니다. 전기장은 전압 V의 기울기 혹은 Ec, Ev  기울기입니다.이에 다음과 같은 식을 알 수 있는데요. $$E=-\frac{dv}{dx}=\frac{1}{q}\frac{dE_{c}}{dx}=\frac{1}{q}\frac{dE_{v}}{dx}$$위 그림에서 기울기가 양수인 에너지 ..

현대 반도체 소자공학 (물리전자)의 2Motion and Recombination of Electrons and Holes 2장에서는 Carrier인 전자와 hole의 움직임에 대해 배웁니다. 대표적으로 Drift와 Diffusion 에 반응해 움직이는데이번 글에서는 관련 식과 유도, 관계에 대해 알아보겠습니다  DriftDrift란 전기장에 의한 캐리어의 움직임을 의미합니다. 아시다시피 전자는 전기장의 반대방향, hole은 전기장과 같은 방향으로 움직입니다. 하나 더 충돌시간이라는 것을 정의하고 갈텐데요캐리어가 이동할 때 원활히 갈 수만은 없습니다.원자, 다른 캐리어 등 다양한 요소로 인해 충돌을 하며 이동하게 되는데이러한 충돌 간 시간의 평균을 충돌시간  $\tau$ 라 하겠습니다.  충돌을 하며 전..